Вот другое дело, если токи такие, что нужно применять преобразователь с несколькими фазами, тут(наверное) по одному даташиту уже не прикинешь реакцию на step load
реакция на step load это скачки напряжения, которые вообще говоря должны указываться в параметрах. это же один из параметров при проектировании Не будете же вы использовать источник с +/- 0.5В там, где надо +/- 0.1В
Указываются, никто же не спорит) Но для конкоетной емкости и для конкретной цепочки компенсации и выходного напряжения. У вас может отличаться ситуация
Еще и индуктивность, и частота параметров много, все в даташите не отобразишь. А вляпаться на редизайн из за того, что не промоделировал источник, как то не хочется. И без этого ошибок в дизайне хватает
Это все не от хорошей жизне же, вам надо попасть в таргет +/-25мв для скачка тока в 10А(как правило реккомендации производителя расчитывать скачек в % от максимальной нагрузки, какой именно не скажу, ну что то около 50% точно)
Я обычно считаю по полной загрузке ядра кристалла, зная ориентировочные рабочие частоты, и получаю исходные данные для стабов чтобы от программистов на этапе проектирования не зависеть. Получаю оценку по предельному току ядра. Потом прогоняю по альтероскому PDN. Возможно это избыточно. Моделирование к сожалению еще не освоили.
Да, к тому же target в который необходимо попасть при моделирование step load строже чем тем что указаны на питание ядра. Потому что есть: Output voltage accuracy, IR drop (особенно если обратная связь взята не с ножек питания чипа)